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电子元件,电子元器件深圳市创唯电子有限公司

产品选型(美国1号仓库) > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单

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包装 工作温度 供应商器件封装 封装/外壳
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比较零件 Datasheets 仓库零件编号 制造商零件编号 制造商 描述 包装 系列 零件状态 FET 类型 技术 漏源极电压(Vdss) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) Vgs(最大值) FET 功能 功率耗散(最大值) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳
 
HTNFET-T Datasheet 342-1091-ND MOSFET N-CH 55V 4-PIN 散装? HTMOS?? 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V
-
5V 2.4V @ 100μA 4.3nC @ 5V 290pF @ 28V 10V
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50W(Tj) 400 毫欧 @ 100mA,5V -55°C ~ 225°C(TJ) 通孔 4-电源接片 4-SIP
HTNFET-DC Datasheet HTNFET-DC-ND MOSFET N-CH 55V 8-DIP 管件? HTMOS?? 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V
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5V 2.4V @ 100μA 4.3nC @ 5V 290pF @ 28V 10V
-
50W(Tj) 400 毫欧 @ 100mA,5V
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通孔
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8-CDIP 裸露焊盘
HTNFET-TC Datasheet HTNFET-TC-ND MOSFET N-CH 55V 4-PIN
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HTMOS?? 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V
-
5V 2.4V @ 100μA 4.3nC @ 5V 290pF @ 28V 10V
-
50W(Tj) 400 毫欧 @ 100mA,5V
-
通孔
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HTNFET-D Datasheet 342-1078-ND MOSFET N-CH 55V 8-DIP 管件? HTMOS?? 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V
-
5V 2.4V @ 100μA 4.3nC @ 5V 290pF @ 28V 10V
-
50W(Tj) 400 毫欧 @ 100mA,5V -55°C ~ 225°C(TJ) 通孔 8-CDIP-EP 8-CDIP 裸露焊盘
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